| 型号： | IXTF200N10T | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | IXYS | 描述： | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IXTF200N10T PDF |  |
| 产品目录绘图 | ISOPLUS i4, i5 Package |
| 标准包装 | 25 |
| 系列 | TrenchMV™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 156W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | i4-Pac?-5 |
| 供应商设备封装 | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装 | 管件 |